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首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛于11月9日在苏州隆重举行

日期: 2018-11-09
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首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛于11月9日在苏州隆重举行

2018年11月9日,首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛在苏州国信雅都大酒店顺利举办!来自北京、上海、广东、江苏、湖南、山东、深圳、浙江、河南、福建、四川、江西等25个省市约300位各大高校研究所研发人员、教授学者、国内外著名陶瓷材料制备和后端应用的企业高层、技术骨干以及投资公司等嘉宾应邀出席。



本届论坛作为2019第十二届上海国际先进陶瓷展览会暨会议开展前期的主打活动之一,响应当下陶瓷基板产业链的商机与市场需求,促进企业间的合作沟通,共同解决陶瓷材料产业链中“卡脖子”的关键技术和工艺问题。

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论坛分为上下午两场,紧紧围绕先进陶瓷领域中备受关注的话题:高性能基板的陶瓷粉体、先进的流延成型工艺、流延设备与流延浆料、氧化物和氮化物基板的不同烧结技术、基板的整平与加工工艺、基板的金属化和覆铜工艺、以及材料和产品的检测与评价等,全面解析产业应用技术难点,探讨新计划的开发研究和整合利用。

首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛于11月9日在苏州隆重举行

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论坛伊始

 

论坛上午场由清华大学谢志鹏教授主持,除了宣告论坛正式成立和举办意义之外,也对远道而来的众多陶瓷基板从业人员表示感谢。


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组委会负责人、新之联伊丽斯(上海)展览公司朱啸峰总经理向参会嘉宾介绍:首届陶瓷基板论坛历时半年的筹划和准备,深受各界同仁的大力支持。组委会将致力于推动领域内的技术进步以及经济贸易发展,持续发挥平台作用,让陶瓷基板论坛成为行业交流的重要窗口。

首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛于11月9日在苏州隆重举行



 

中国科学院上海硅酸盐研究所江东亮院士在致辞中表示:随着中国新能源汽车、高铁、5G基站、风力发电、机器人、大功率LED等新型产业的发展,各种功率器件、半导体封装、IGBT行业对高性能陶瓷基板的需求越来越大,陶瓷基板在许多关键零部件中不可或缺。近两年处于5G时代,智能手机开始更多地使用高强度高韧性陶瓷材料作为手机背板,陶瓷基板材料的制备技术及后端的覆铜技术、封装技术等产业链高端应用方面,机遇与挑战并存。相信本届论坛将有利于中国陶瓷基板制备技术和应用水平的提升,促进国内先进陶瓷材料及应用向更高质量发展。

首届“陶瓷基板制备技术及产业链应用发展”论坛于11月9日在苏州隆重举行



 

现如今众多的技艺被列入国家级非物质文化遗产,中国陶瓷工艺美术大师们正在全力延续千百万年来先人的辉煌智慧,秉承着科研精神,在继承的基础上加以创新,展示中华艺术瑰宝。中国陶瓷工艺美术大师叶国珍倾囊相授南宋官窑的魅力并对本届论坛致以真诚的祝贺。

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主题演讲

中国科学院上海硅酸盐研究所 江东亮院士发表《先进陶瓷发展前沿与关键瓶颈问题》的主题演讲,高度概述国内外先进陶瓷材料发展前沿,对面临的瓶颈问题进行深入分析,对重点前沿方向进行解疑答惑。

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山东国瓷功能材料股份有限公司 宋锡滨副总经理的《高性能陶瓷粉体的研发及产业化状况》报告是结合国瓷的发展历程和核心技术,从专项调研、材料设计、立项开发、小试、中试和产业化等方面,重点介绍高性能陶瓷粉体材料从产品到商品的研发过程逻辑、以及材料产业化的核心思想,并就高性能陶瓷材料的放大技术结合分散技术和合成技术进行了细致阐述。

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西安鑫乙电子科技有限公司 刘伟总工程师强调《打造陶瓷基板成型的先进装备》四大要点:①陶瓷基板干压成型、流延成型等应用技术的发展;②自动切片机、自动模切机、自动包装机等流延基片的加工技术;③球磨机、脱泡机、溶剂回收系统等流延成型的工艺及装备;④陶瓷基板成型装备在电子陶瓷基板、 智能产业 、5G手机陶瓷背板材料技术发展 、航天航空与国防军工高科技领域的应用及拓展。

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中材高新材料股份有限公司 张伟儒总裁解读《高导热氮化硅陶瓷基板研究进展与产业化探讨》,综述高导热氮化硅基板在半导体器件上的应用和国内外研究进展,重点介绍了通过氮化硅粉体选择、晶格氧含量及晶界相控制、微观组织定向排布等多种技术组合,以及突破了材料均化、成型、烧结、表面处理及覆铜处理等多个制备工艺技术,研制出集高导热、高可靠性于一体,综合性能优异的半导体绝缘基板材料,并对下一步产业化提出建议。

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中国科学院上海硅酸盐研究所 曾宇平教授在《高导热氮化硅陶瓷基板的制备及其研究进展》的演讲中重点针对氮化硅陶瓷基板材料的材料组分设计,成型工艺,烧结以影响氮化硅基板热导和强度的各种因素进行分析,并讨论国内氮化硅基板的研究现状。

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株洲中车时代电气股份有限公司 刘国友副总工程师通过《高性能陶瓷基板在大功率IGBT模块封装中的应用》这一报告,重点介绍高性能AlN或Si3N4陶瓷基板在大功率IGBT模块封装中的选型、设计考虑及应用,首先对比分析了Al2O3、AlN、Si3N4陶瓷基板的材料特性及制备工艺特点,接着介绍AlN或Si3N4陶瓷基板材料选型及设计考虑,研究高性能陶瓷基板对功率模块热阻、电流输出性能及可靠性的影响,最后综述先进陶瓷基板的最新研究进展及趋势。

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浙江德汇电子陶瓷有限公司 戴云浩副总经理发表的《陶瓷基板覆铜关键技术及工艺探讨》报告,以企业的视角,介绍市场上常见的高导热陶瓷基板覆铜工艺,包括厚膜法、薄膜法和DPC、HTCC、LTCC、DBC和AMB工艺的主要制作工序和制成品的特性,以及市场应用的相应领域。

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