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  • 电子陶瓷的应用前景及发展趋势

    电子陶瓷是广泛应用于电子信息领域中的具有独特的电学、光学、磁学等性质的一类新型陶瓷材料,它是光电子工业、微电子及电子工业制备中的基础元件,是国际上竞争激烈的高新技术材料。

这些先进陶瓷材料被工信部重点关注!


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近日,工信部原材料工业司发布《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024年版)》(征求意见稿),公开征求社会各界意见,要求11月24日前反馈意见。其中,多项先进陶瓷材料入选。

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1、原位自生陶瓷颗粒铝基复合材料

性能要求:

(1)高强度铸造陶铝材料:抗拉强度≥410MPa,弹性模量≥85GPa,延伸率≥2%;

(2)高模量铸造陶铝材料:抗拉强度≥360MPa,弹性模量≥90GPa,延伸率≥0.5%;

(3)高塑性铸造陶铝材料:抗拉强度≥350MPa,弹性模量≥73GPa,延伸率≥14%;

(4)超高强变形陶铝材料:抗拉强度≥805MPa,弹性模量≥76GPa,延伸率≥8%;

(5)高抗疲劳变形陶铝材料:抗拉强度≥610MPa,弹性模量≥83GPa,延伸率≥6%。

2、铝基碳化硅复合材料

性能要求:室温热导率≥200W/(m·K),抗弯折强度≥500MPa,热膨胀系数(RT~200℃)≤9ppm/℃。


3、纳米陶瓷隔热涂层材料

性能要求:太阳光反射比≥90%,半球发射率≥0.87,涂层厚度0.3~0.45毫米,附着力优于1级,延展率≥30%,弹性良好,BI级防火,防腐性能良好。


4、高性能微晶玻璃

性能要求:(1)零膨胀微晶玻璃:膨胀系数为 0±0.02×10-6/℃,热胀系数均匀性≤±0.01×10-6/℃,5mm 厚样品632.5nm透过率≥85%;

(2)5G 通讯用微晶玻璃:透过率(t=0.68mm,λ=550nm)≥91%,热传导率(25℃)≥1.5W/m.K,维氏硬度 Hv0.2/20-强化≥790×107Pa,化学稳定性(损失量)(5%HCl,95℃,24h)0.1mg/cm2,(5%NaOH,95℃,6h)≤0.2mg/cm2,跌落测试破摔高度:≥2000mm(测试条件:t=0.68mm,测试面:80目砂纸,SiC颗粒;40g负重,测试总重60g)。


5、高纯氧化铝及球形氧化铝粉

性能要求:

(1)高纯氧化铝(4N):纯度≥99.99%,比表面3~5m2/g,D500.5~20μm;

(2)高纯氧化铝(5N):纯度≥99.999%,比表面:1.7m2/g,D50:5μm,松装密度:0.27g/cm3,平均孔径:10.5nm;

(3)球形氧化铝粉:Al2O3≥99.7%,SiO2≤0.03%,Fe2O3≤0.03%,Na2O≤0.02%,EC≤10μs/cm,含湿率≤0.03%,真实密度3.85±0.1g/cm3,球化率>90%,白度≥90;

(4)高导热氧化铝粉体:产品粒径>25μm(D50),氧化钠≤0.03%,氧化铁≤0.08%,氧化硅≤0.08%,电导率≤60μs/cm。


6、氮化铝粉体、陶瓷件及基板

性能要求:

(1)高纯氮化铝粉体:氧含量<0.8wt.%;碳含量<350ppm;铁含量<10ppm,硅含量<50ppm,钙含量<200ppm;比表面积≥2.5m2/g。

(2)氮化铝陶瓷件:热导率≥180W/(m·K);抗弯强度≥350MPa;电阻率≥1014Ω·cm。

(3)高导热氮化铝基板:热导率≥200W/(m·K),抗弯强度>300MPa。


7、氮化硅基板

性能要求:热导率≥85W/(m·K),抗弯强度>700MPa。


8、氮化硅陶瓷轴承球

性能要求:抗弯强度≥900MPa;断裂韧性:6~7MPa·m1/2;硬度HV10≥1480kg/mm2;压碎载荷比≥40%。


9、氮化硼承烧板

性能要求:氮化硼含量>99.5%;氧含量≤0.15%;密度1.5~1.6g/cm3


10、电子级超细高纯球形二氧化硅

性能要求:SiO2>99.9%,球化率≥99%,D50:0.3~3μm,电导率≤10μS/cm,烧失量≤0.2%。


11、喷射成型耐高温耐腐蚀陶瓷涂层

性能要求:耐温1200℃,硬度HV1100,结合强度45MPa,耐强酸强碱。


12、陶瓷基复合材料

性能要求:

(1)耐烧蚀C/SiC复合材料:密度为2.5~3.2g/cm3,室温拉伸强度≥150MPa,拉伸模量≥120GPa,断裂韧性≥10MPa·m1/2,1600℃拉伸强度≥100MPa,耐温性能≥1800℃,满足2MW/m2以上热流环境下1000s零烧蚀或微烧蚀的要求;

(2)核电用SiC/SiC复合材料:密度为2.7~2.9g/cm3,室温拉伸强度≥250MPa,拉伸模量≥150GPa,断裂韧性≥10MPa·m1/2,1200℃拉伸强度≥200MPa,导热系数≥20W/(m·K),热膨胀系数(25℃~1300℃)3~5×10-6/℃;

(3)航空用SiC/SiC复合材料:密度为2.5~2.9g/cm3,室温拉伸强度≥250MPa,拉伸模量≥150GPa,断裂韧性≥10MPa·m1/2,1300℃拉伸强度≥200MPa,拉伸模量≥100GPa,断裂韧性≥10MPa·m1/2,强度保持率≥80%(1300℃、120MPa应力下氧气环境热处理500小时)。


13、高性能陶瓷基板

性能要求:

(1)高光反射率陶瓷基板:可见光反射率≥97%,抗弯强度≥350MPa,热导率≥22W/(m·K);

(2)氧化铝陶瓷基板:抗弯强度≥700MPa,热导率≥24W/(m·K),体积电阻率≥1014Ω·cm。


14、高性能水处理用陶瓷平板膜材料

性能要求:有效过滤面积0.5±0.004m2,分离膜平均孔径130~170nm,显气孔率35~40%,纯水通量(25℃,-40kPa)>500LMH,弯曲强度>30MPa,酸碱腐蚀后强度>20MPa。


15、片式电阻器用电阻浆料

性能要求:浆料阻值范围:0.1Ω~10MΩ;浆料细度:≤5μm;电阻温度系数:≤±200ppm/℃(阻值范围0.1Ω~10Ω);≤±100ppm/℃(阻值范围10Ω~10MΩ)。


16、工业蓝宝石机械耐磨部件

性能要求:密度:3.98~4.1g/cm3,熔点:2045℃,莫氏硬度:9,热膨胀系数:5.8×10-6/K,弹性模量:340~380GPa,抗压强度:2.1GPa,表面粗糙度:Rz0.05,抗腐蚀性:常温下不受酸碱腐蚀,在300℃下能被HF侵蚀。


17、大尺寸光学级蓝宝石晶体

性能要求:0.38~0.79μm平均透过率≥80%,1.064μm透过率≥85%,3~5μm平均透过率≥85%;光学均匀性△n≤4×10-5;弯曲强度≥600MPa;努氏硬度≥17Gpa;直径>300mm。


18、连续碳化硅纤维

性能要求:

(1)掺杂型二代连续碳化硅纤维:单纤维直径8~10μm,密度2.4~2.6g/cm3,单丝拉伸强度≥2.8GPa,束丝拉伸强度≥2.5GPa,拉伸弹性模量≥200GPa,断裂伸长率≥1%,氧化量≤10%,掺金属元素含量≤1%,单丝拉伸强度≥2.5GPa(1250℃氩气1h),单丝拉伸强度≥2.3GPa(1000℃空气1h);

(2)掺杂型三代连续碳化硅纤维:单纤维直径为8±1.0μm,密度为3.10±0.15g/cm3,单丝拉伸强度≥2.8GPa,束丝拉伸强度≥2.6GPa,拉伸弹性模量≥360GPa,断裂伸长率≥0.8%,SiC晶粒尺寸≥30nm,碳硅原子比为1.05~1.2,氧含量≤0.8%,掺杂元素≤3wt.%,耐温性能(1500℃氩气1h,强度保留率≥80%),抗氧化性能(1250℃空气1h,强度保留率≥80%);

(3)吸波型连续碳化硅纤维:拉伸强度≥2.3GPa,杨氏模量≥200GPa,电阻率105~10-2Ω·cm可调。


19、连续氮化硅纤维

性能要求:束丝上浆率:4101:1.5~3.5%,4103:0.9~2.9%;单丝直径:(13.0±1.0)μm;离散系数小于20%;线密度:(155±8)Tex;密度:(2.25±0.10)g/cm3;单丝拉伸强度≥1.60GPa;束丝拉伸强度≥1.60GPa,离散系数小于15%;拉伸弹性模量≥140GPa,离散系数小于10%;断裂伸长率≥0.80%,离散系数小于10%;氧含量≤3.0%,碳含量≤0.9%,氮含量:(37.0±3.0)%;高温强度保留率:1250℃氩气,1h:>1.30GPa,1200℃空气,1h:>1.20GPa。


20、高性能氧化铝纤维

性能要求:氧化铝连续纤维:Al2O3含量≥72%,纤维强度≥1.8Gpa,平均直径≤12μm。


21、高性能碳纤维增强陶瓷基摩擦材料

性能要求:密度≤2.2g/cm3;使用温度-50~1650℃;抗压强度≥160MP;抗弯强度≥120MP;摩擦系数0.25~0.45;摩擦力矩峰值比≤2;摩擦系数热衰退≤15%;摩擦力矩湿态衰退≤5%。


22、EBPVD热障涂层用YSZ陶瓷靶材

性能要求:Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、V、Si、Ti、Cl杂质总量≤0.05wt%,Y2O3含量7~9wt%,HfO2含量≤2wt%,密度3.7~4.8g/cm3,物相为四方相和单斜相,闭合气孔率≤5%。


23、陶瓷纤维滤管

性能要求:适用温度:180~420℃;除尘效率≥99.9%,或排放参数≤5mg/Nm3;脱硝效率≥90%,或排放参数≤30mg/Nm3;抗折强度≥2MPa;抗压强度≥3MPa;气孔率≥70%。


24、汽车尾气催化剂相关材料

性能要求:

(1)稀土储氧材料:经1100℃高温老化10小时后,比表面积不低于28m2/g,静态储氧量≥300μmolO2/g。(3)DOC催化剂:新鲜状态,400℃以下NO最大转化效率≥50%;650℃,100小时水热老化后,400℃以下NO最大转化效率≥45%;

(2)堇青石蜂窝载体:TWC载体壁厚2.5~4.0mil,热膨胀系数≤0.5×10-6/℃;DOC、SCR载体壁厚3.0~5.5mil,热膨胀系数≤0.5×10-6/℃;DPF、GPF壁厚7~12mil,孔隙率45~65%,热膨胀系数≤0.8×10-6/℃;(3)CDPF催化剂:涂覆背压偏差:±10%;预处理后PN≤6×1011/kWh。(4)ASC催化剂:650℃,100小时水热老化后,NH3氧化起燃温度T50≤225℃;300℃以上的N2选择性≥75%;

(5)非道路T4催化剂:涂覆偏差≤±5%,性能指标达到非道路T4标准;

(6)碳化硅蜂窝载体:DPF:300cpsi,壁厚10~12mil,孔隙率35~45%,中值孔径8~14μm,抗热冲击温度>1500℃。


25、半导体装备用精密陶瓷部件

性能要求:

(1)刻蚀装备用碳化硅电极:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa,电阻率0.005~80Ω·cm;

(2)刻蚀装备用碳化硅环:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa;

(3)刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件:密度≥3.15g/cm3;热导率(RT)≥27W/(m·K);热膨胀≤3.5×10-6/K;抗弯强度≥550MPa;平均粒度≤4μm;韦伯模量≥9;关键尺寸精度±0.02mm;表面0.3~5μm,尺寸颗粒≤5000count/cm2,表面有机物≤0.1μg/cm2;

(4)6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟:密度≥3.1g/cm3,导热系数≥160W/(m·K),纯度≥99.9%,抗弯强度≥370MPa;

(5)6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅舟:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa;

(6)6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管:纯度≥99.96%,密度≥2.9g/cm3,抗压强度≥350MPa;热膨胀系数≤4.5×10-6-1;

(7)6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅炉管:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度>6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度>29GPa。


26、高容及小尺寸MLCC用镍内电极浆料

性能要求:镍粉0.15~0.20μm,最大粒往径≤0.5μm,固含量55±3%,粘度10rpm19±2Pa·s,干膜密度>5g/cm3,热膨胀系数15±3%(1000~1200℃),能在厚度3μm以下的介质上通过丝印工艺形成精确的外观图形。


27、第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板

性能要求:空洞率(C-SAM,分辨率50μm)≤0.3%;剥离强度(N/mm)>10;冷热冲击寿命(cycle)>5000;可焊性>95%;打线性能:剪切力≥1000gf。


28、切削刀具用超硬材料制品

(1)聚晶金刚石复合片 PCD:硬度≥HV4000,拱形度≤0.1mm,厚度公差≤±0.1mm;

(2)聚晶 PCBN 刀片:硬度≥3200HV,抗冲击韧性≥25J,抗弯强度≥500MPa。


高质量、高性能的原材料是一个行业长久发展的基石。随着新兴产业的发展,市场对先进陶瓷领域的相关高性能材料需求旺盛,工信部这一举措更加说明优质的先进陶瓷材料对于该行业的重要作用。先进陶瓷产业高速发展,市场规模虽已达万亿级。然而国内许多先进陶瓷企业和产品仍然处于产业链的中低端,质量良莠不齐。企业如何提质增效、破局创新,迈向高质量发展之路?

由新之联伊丽斯(上海)展览有限公司主办的“中国国际先进陶瓷展览会”将于2024年3月6-8日在上海世博展览馆隆重举办。展览内容涵盖先进陶瓷原料、机械设备、部件产品及服务等整条工艺链。展会规模达45,000平方米,云集900+家中外企业参展,同期会议论坛嘉宾演讲多达100+场次,预计将吸引65,000名专业观众到场参观。展会搭建技术交流和商贸合作的优质平台,致力于帮展商找终端客户,帮观众找解决方案,作为先进陶瓷行业家喻户晓的旗舰级展会,办展多年,名企云集,大咖汇聚,定有你要的答案!

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展会同期还将举办第五届上海先进陶瓷前沿与产业发展论坛电子陶瓷及元器件产业发展论坛,将汇聚行业领袖、著名高校和研究所的专家教授、知名企业创始人及高管,围绕先进陶瓷、电子陶瓷行业热点、政策、发展形势及未来布局等多个方面进行深入探讨,为中国先进陶瓷、电子陶瓷行业变革创新提供思路,为中国先进制造业的高质量发展添砖加瓦!
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