相关内容
-
半导体陶瓷部件的主要生产工艺介绍
制备芯片需要用到半导体设备,如刻蚀机、光刻机、离子注入机等,打开半导体设备,里面运用了大量的陶瓷零部件,陶瓷零部件具有耐高温、耐腐蚀、精度高、强度高等优异性能,其可以很好地用在半导体设备内。
-
高端MLCC陶瓷粉体 · 制备难点 · 国产替代展望
高端MLCC的生产制造具有非常高的壁垒,调浆、成型、堆叠、均压、烧结、电镀等众多环节,无一不对厂商在陶瓷粉体、成型烧结工艺、专用设备的积累,有着极高的要求。各大厂商均具有一般性的MLCC产能,但高阶MLCC产能因为技术要求更高,目前集中在日厂手中。
-
反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究
碳化硅是 C—Si 共价键相结合的一种化合物,具有良好的耐磨性和抗热震性,以及耐腐蚀性强,热导率高等优良性能,被广泛用于航空航天、机械制造、石油化工、金属冶炼以及电子行业,特别用于制作耐磨损部件和高温结构部件。
-
如何烧结出致密的氧化铝陶瓷
氧化铝陶瓷具有高绝缘性、高隔热性、耐腐蚀、硬度高等优点,可广泛用于制造坩埚、发动机火花塞、高温耐火材料、热电偶套管、绝缘基片、密封环、刀具模具等。
Ceramics International/大晶粒SrF₂透明陶瓷烧结温度对微观组织与光学性能影响研究
研究背景
氟化锶(SrF2)透明陶瓷具备低声子能量、宽透光范围、高热导率等优势,是固体激光器、光学窗口等领域的关键材料。但现有SrF2陶瓷可见光透过率远低于理论值,烧结残留气孔、晶界散射是主要制约因素。传统研究多聚焦细晶调控提升透光率,关于大晶粒SrF2陶瓷烧结工艺与性能关联的系统性研究较少,亟需探索新路径以突破短波长透光瓶颈。
研究亮点
主要研究成果
本研究聚焦SrF₂透明陶瓷的制备工艺优化与性能提升,取得了突破性研究成果,成功解决了传统SrF₂陶瓷晶粒尺寸受限、光学与力学性能难以兼顾的技术难题。工艺方面,创新采用化学沉淀法制备高纯度、高分散性SrF₂纳米粉体,搭配高温热压(HP)烧结工艺,通过精准调控烧结参数,首次实现了330μm超大晶粒SrF₂透明陶瓷的可控制备,填补了超大晶粒SrF₂透明陶瓷制备领域的技术空白,为同类氟化物透明陶瓷的晶粒尺寸调控提供了新路径。
光学性能上实现重大突破,1100℃烧结所得样品在400nm可见光波段透光率达到72.2%,相比传统细晶SrF₂陶瓷提升幅度超过68%,有效解决了细晶样品透光率不足的问题;在3–9.6μm红外波段,样品透过率稳定超过90%,具备优异的红外透光性能,可满足红外光学器件的应用需求。
力学性能方面,该大晶粒SrF₂透明陶瓷表现出强韧兼备的特点,其维氏硬度达2.63GPa,显著高于SrF₂单晶材料,断裂韧性为0.31MPa·m¹/²,有效提升了陶瓷的抗磨损、抗断裂能力,实现了高光学透过性能与优异力学性能的协同统一。本研究成果为SrF₂透明陶瓷在红外探测、光学窗口等领域的工程化应用奠定了坚实的理论与技术基础,具有重要的学术价值和应用前景。

图1 SrF2的XRD图谱:(a)SrF2的标准 PDF 图谱;(b)纳米粉末;(c)陶瓷在1100 ℃下通过 HP 烧结

图2 SrF2纳米粉末的SEM图像

图3 SrF2粉末煅烧前后的FT-IR光谱

图4 不同温度下烧结2h的热压样品照片

图5 不同温度烧结的SrF2透明样品的透过率曲线

图6 不同温度烧结的SrF2透明陶瓷在红外波段的透过率曲线

图7 不同温度下烧结的透明SrF2陶瓷的断口表面形貌:(a)800℃;(b)1000℃;(c)1050℃;(d)1100℃;(e)1150℃

图8 在不同温度下烧结的 SrF2陶瓷的化学蚀刻表面:(a)800℃;(b)1000℃;(c)1050℃;(d)1100℃;(e)1150℃

图9 不同温度烧结的透明SrF2陶瓷的平均晶粒尺寸及400 nm波长处的透过率

图10 SrF2透明陶瓷表面诱发裂纹的维氏硬度压痕
结论与意义
本研究通过工艺创新与参数优化,成功完成了SrF₂透明陶瓷的制备及性能调控,得出以下核心结论:采用化学沉淀法结合高温热压(HP)烧结工艺,可实现330μm超大晶粒SrF₂透明陶瓷的可控制备;1100℃烧结样品在400nm可见光波段透光率达72.2%,较细晶样品提升超68%,3–9.6μm红外波段透过率超90%,光学性能表现优异;该陶瓷维氏硬度2.63GPa、断裂韧性0.31MPa·m¹/²,优于SrF₂单晶,实现了光学与力学性能的协同兼顾,有效解决了传统SrF₂陶瓷的核心技术痛点。
文章链接
声 明:文章内容来源于陶瓷焊接。仅作分享,不代表本号立场;图片非商业用途。如有侵权,请联系小编删除,谢谢!






沪公网安备31011802004982