在线咨询
×
分享至手机分享至手机
关注展会官微关注展会官微

Share to Mobile

您的位置:首页>新闻中心>行业资讯

行业资讯

传递行业最新前沿资讯

参观登记

相关内容

  • 半导体陶瓷部件的主要生产工艺介绍

    制备芯片需要用到半导体设备,如刻蚀机、光刻机、离子注入机等,打开半导体设备,里面运用了大量的陶瓷零部件,陶瓷零部件具有耐高温、耐腐蚀、精度高、强度高等优异性能,其可以很好地用在半导体设备内。

  • 高端MLCC陶瓷粉体 · 制备难点 · 国产替代展望

    高端MLCC的生产制造具有非常高的壁垒,调浆、成型、堆叠、均压、烧结、电镀等众多环节,无一不对厂商在陶瓷粉体、成型烧结工艺、专用设备的积累,有着极高的要求。各大厂商均具有一般性的MLCC产能,但高阶MLCC产能因为技术要求更高,目前集中在日厂手中。

  • 反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究

    碳化硅是 C—Si 共价键相结合的一种化合物,具有良好的耐磨性和抗热震性,以及耐腐蚀性强,热导率高等优良性能,被广泛用于航空航天、机械制造、石油化工、金属冶炼以及电子行业,特别用于制作耐磨损部件和高温结构部件。

  • 如何烧结出致密的氧化铝陶瓷

    氧化铝陶瓷具有高绝缘性、高隔热性、耐腐蚀、硬度高等优点,可广泛用于制造坩埚、发动机火花塞、高温耐火材料、热电偶套管、绝缘基片、密封环、刀具模具等。

新能源汽车快充时代:氮化硅陶瓷成为高压平台刚需材料

2026年上半年,高压平台技术已然成为新能源汽车赛道的核心竞争制高点,各大头部车企加速技术迭代、密集落地新品,掀起行业高压化升级浪潮。比亚迪重磅发布第二代刀片电池与兆瓦级闪充技术,创下“5分钟充电续航约400公里”的全球量产车型最快充电纪录,旗下汉EV闪充版随即正式上市并完成首批用户交付,实现技术与量产落地的双重突破。理想推出搭载800V高压平台与主动悬架系统的全新一代L9 Livis,补齐高端车型高压技术短板;小鹏持续完善高压产品矩阵,先后推出X9纯电版与旗舰SUV GX两款基于800V高压平台打造的车型;蔚来更是实现技术跃级,推出搭载全域900V高压架构的旗舰轿车ET9,刷新行业高压平台技术标准。

从技术底层来看,更高的整车电压平台,能够有效降低工作电流、减少电路能耗损耗,直观提升车辆充电效率与能耗经济性。而这套高性能高压系统得以长期稳定、安全运行的核心关键,藏于功率模块的核心基材——氮化硅(Si₃N₄)陶瓷基板,这款看似不起眼的核心元器件,成为支撑车企高压技术落地的核心基石。

为什么是氮化硅?

高压平台对功率模块封装提出了严苛的技术标准:芯片工作时高热频发,要求基板具备优异的快速导热性能;整车工况温差跨度大,需要基板实现精准的热膨胀匹配,避免结构失效;车辆行驶全程伴随震动与冲击,要求基板具备出众的机械强度与抗损稳定性。

氮化硅陶瓷恰好同时满足这三条。在导热性能上,商用氮化硅基板常规热导率为60~90 W/(m·K),高性能牌号可达90~120 W/(m·K)。在热匹配上,其热膨胀系数(约3.2×10⁻⁶/℃)与功率芯片高度匹配,温度剧烈变化时不易产生热应力开裂。在机械性能上,氮化硅抗弯强度超过800 MPa,断裂韧性约7 MPa·m¹/²,能承受车辆振动和极端温度循环。

氮化硅凭借综合优势,成为高压场景下的关键基板材料。

202607061539095865.png

新能源汽车主驱逆变器爆炸分解示意图


产业现状

1)粉体

氮化硅陶瓷的综合性能,核心取决于上游氮化硅粉体的品质。氮化硅主要包含α、β两种晶型,材料烧结过程中,α相会逐步转化为长柱状β相晶粒,独特的微观结构可显著提升陶瓷材料的韧性与结构可靠性。因此,具备高α相含量、高纯度、均匀粒度分布的优质粉体,是制备高性能氮化硅陶瓷基片的核心前置条件。

从市场维度来看,2025年全球氮化硅粉体市场规模约5.8亿元人民币,其中国内市场规模达1.99亿元。伴随800V及以上高压平台车型快速渗透,国内高压架构渗透率已升至18%,作为SiC功率模块封装的核心原材料,氮化硅粉体的市场需求正持续加速释放,行业增长动能充沛。

目前国内氮化硅粉体产业已实现技术与产能的双重突破,国产化替代进程持续提速。中材高新已落地2000吨级高性能氮化硅粉体项目,同时牵头制定《氮化硅陶瓷基片》国家标准(GB/T 45767-2025),凭借过硬的产品实力斩获全球20%的市场份额,稳居行业第一梯队;江西氮化硅新材料实现稳定量产,月产能约5吨,订单已排至2026年10月,市场交付需求旺盛;中国科学院理化技术研究所研发的燃烧合成高品质氮化硅粉体技术已顺利通过权威鉴定,粉体纯度可达99.5%、α相含量超93%,现有中试产能达20吨/年。整体而言,国内氮化硅粉体行业正处于从“国产化可用”向“国际化优质”跨越的关键升级阶段。

202607061539177299.png
202607061539252389.jpg

氮化硅粉体及基板实物

2)基板

粉体经烧结制成陶瓷基板后,需要通过覆铜工艺才能用于功率模块封装。目前主流技术是活性金属钎焊(AMB),相比传统直接键合铜(DBC),AMB界面结合强度更高、导热性能更优,能满足高压大电流的需求。

202607061539337210.png

AMB陶瓷基板制作工艺流程

陶瓷基板与覆铜领域,深圳博敏国内稀缺具备 AMB、DPC 陶瓷衬板全工艺量产能力,65W 氮化硅 AMB 衬板已量产并批量供给车载电子客户;金冠电气氮化硅陶瓷基板工艺定型、产品送样,AMB 覆铜基板完成实验室打样;房芯科技年产 300 万片氮化硅基板项目一期开工;富乐华半导体氮化硅瓷片入选 2026 重点新材料国内首批次目录,打破日系企业长期垄断高端氮化硅瓷片的行业格局。

3)车企应用

整车应用端,比亚迪 2026 年 3 月披露氮化硅陶瓷国际专利 PCT/CN2025/115332,将该技术落地自有新能源汽车产业链。比亚迪海豹、蔚来 ET9 多款量产车型现已搭载氮化硅 AMB 基板封装方案。实测数据显示,氮化硅 AMB 基板可将主驱逆变器热失效概率从 12% 压低至 0.3%,整车续航提升 5% 至 8%。当前从粉体、基板制造到车企终端应用,氮化硅陶瓷完整产业链正迎来快速发展窗口期。

前沿突破

2026 年 4 月,武汉理工大学傅正义院士团队首创 “共生团簇” 微观新结构,解决了氮化硅材料 α 相高硬度、β 相高韧性无法共存的行业难题。研究采用高压烧结诱导晶粒畸变生长工艺,制得高性能氮化硅陶瓷,断裂韧性达 10.2 ± 0.3 MPa・m¹ᐟ²、维氏硬度达 20.1 ± 0.3 GPa,两项关键指标同步强化,综合性能领先业内液相烧结同类产品。此次突破证明氮化硅材料的性能上限尚有极大探索空间。

202607061539397067.png

“共生团簇”型氮化硅陶瓷的形成机理与微观结构(来源:文献)

小结

随着基础科研与产业落地双向协同提速,氮化硅陶瓷的发展潜能持续释放,在高压平台新能源车型中的商用价值持续凸显。当前国内产业链已完成氮化硅粉体、陶瓷基板、整车终端应用全链条阶段性突破,但上游高端氮化硅粉体批次一致性不足、车规级长期可靠性认证周期长,仍是制约行业发展的核心短板。伴随材料技术持续迭代、各环节产能逐步放量,氮化硅陶瓷将进一步打开国产替代空间,成为赋能国内新能源汽车产业高质量发展的关键核心基础材料。

参考文献:Qin X, Zou J, Wang W, et al. Intergrown columnar clusters toughening silicon nitride ceramics. Journal of Advanced Ceramics, 2026.

声 明:文章内容来源于CERADIR先进陶瓷在线。仅作分享,不代表本号立场;图片非商业用途。如有侵权,请联系小编删除,谢谢!