见证产业升级！2026第五届先进陶瓷在半导体领域应用与产业发展论坛圆满落幕！

PART 01

开幕主持

PART 02

开幕致辞

PART 03

主办单位致欢迎辞

PART 04

主持嘉宾

PART 05

报告回顾

演讲主题：第三代SiC半导体技术与产业发展状况

王研究员在报告中指出，碳化硅晶体作为第三代半导体材料，凭借宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性，在高温、高压、高频等特殊环境下具有不可替代的优势。当前，新能源车、光伏储能、AI算力、工业电源与轨道交通等五大板块共同驱动碳化硅市场需求，预计2030年全球规模将超100亿美元。我国已在衬底环节实现全球领先，器件端加速追赶，形成了完整的“衬底-外延-器件-模块-设备”产业链。王研究员的深入解析为论坛增添了前沿视角，也进一步坚定了与会者对我国半导体级先进陶瓷与碳化硅产业协同突破的信心。

演讲主题：凝华_先进材料时代的加工挑战

尚副总在报告中主要讲了北京凝华30年工艺实践的核心洞察：加工能力决定先进材料产业化水平，多工艺协同是最优解决方案。他指出，当前行业存在材料研发投入占85%、加工仅15%的严重失衡，导致先进陶瓷高硬高脆、结构复杂零件良率低、成本高，关键件长期依赖进口。针对这一痛点，凝华提出以工艺优先为核心的三步法，依托CNC磨削、成型砂轮、激光、EDM四大平台协同加工，其中成型砂轮可节省70%工时、用普通3轴设备实现高精度。实战成果显示，军工及半导体关键零件（如静电卡盘、SiC喷淋盘）工时最高降75%、精度提升4–5倍、合格率升至93%–100%。尚副总总结，未来加工向复合化、智能化发展，多工艺协同正是破局关键。

演讲主题：高端装备用零膨胀材料

章研究员在报告中表示，零膨胀材料因在一定温区内尺寸几乎不变，是保障半导体装备、激光通讯等领域精度的关键。报告围绕制备方法和力学、热学、耐辐照等性能，系统比较了零膨胀微晶玻璃、掺氧化钛石英玻璃、零膨胀堇青石陶瓷及因瓦合金等典型体系，揭示了性能差异。章研究员强调，该类材料在高端装备中应用广泛，但在极端环境下可靠性与综合性能仍面临挑战。未来需通过组分调控与复合技术，开发更高稳定性、多功能一体化的零膨胀材料，满足下一代精密装备的严苛需求。

演讲主题：热等静压(HIP)在半导体先进陶瓷中的致密化调控与应用

赵经理在报告中指出，热等静压技术以惰性气体为介质，在高温高压协同作用下对各向均等施压，是消除材料内部气孔、缩孔及微裂纹等缺陷、实现高端材料致密化改性的首选工艺。报告重点剖析了该技术在半导体领域的核心应用，涵盖ESC静电卡盘、Heater加热器、高纯金属溅射靶材及特殊功能陶瓷等关键部件，可将材料致密度大幅提升至99.99%的理论密度水平。赵经理强调，该技术显著改善了材料的力学强度与导热、导电均匀性，是保障半导体关键材料高均匀性、高可靠性与高良率量产不可或缺的核心支撑。随着半导体制造精度持续跃升，HIP技术将在致密化极限与工艺协同优化方向迎来更广阔的发展空间。

演讲主题：先进陶瓷在半导体设备中的应用

刘总在报告中分享了半导体先进陶瓷零部件国产替代的最新进展。他表示，随着国内企业日益重视并加大投入，陶瓷加热器、静电卡盘等“功能-结构”一体化“卡脖子”产品取得突破。这类零部件工艺复杂，珂玛科技通过自主研发打破技术封锁，实现批量生产。刘总介绍，公司十余年深耕，掌握了粉末配方、成型、生坯加工、烧结等全流程关键工艺，形成了自身丰富的先进陶瓷体系，并在表面处理领域持续创新。目前，珂玛科技是国内少数掌握从材料配方到零部件制造全流程核心技术，并实现境外规模销售的企业之一，为半导体核心零部件自主可控注入强劲动力。

演讲主题：半导体装备用"陶瓷加热器”的关键技术与应用

袁总工在报告中表达了陶瓷加热器作为半导体装备核心功能零部件，其性能水平直接关系工艺良率与装备竞争力的观点。报告从陶瓷材料性能、器件结构和应用性能三个维度出发，系统梳理了均匀性控温、静电夹持、气路协同和环境可靠性等核心性能之间的技术关联，深入剖析了国产化落地面临的技术难点。袁总工指出，实现从材料配方到结构设计再到系统集成的全链条突破，是跨越“功能-结构”一体化门槛的关键。当前，国内企业在基础材料与精密加工环节正加速追赶，但多场耦合服役环境下的长期可靠性验证仍是产业化攻坚的重点方向，需要产业链上下游协同创新，夯实半导体核心零部件的自主可控根基。

演讲主题：半导体制造装备用精密碳化硅陶瓷部件

陈教授在报告中主要分享了精密碳化硅陶瓷部件在半导体关键制造装备中的前沿应用与制备技术进展。报告从典型应用场景切入，深入分析了半导体制造装备对结构材料在超高刚度、极端尺寸稳定性及洁净兼容性等方面的严苛技术要求。针对这些挑战，陈教授详细介绍了中国建筑材料科学研究总院在精密碳化硅陶瓷部件制备方面的系统解决方案，展示了其团队研制的真空吸盘、导轨、工件台等一系列核心产品成果。他指出，通过近净尺寸成型与高精度加工技术的高度协同，碳化硅陶瓷正有力支撑半导体装备向更高精度、更高加速度运动平台演进，为突破高端装备核心结构部件国产化瓶颈提供了坚实材料保障。

演讲主题：CVD-SiC部件在半导体领域中的应用

余副总在报告中指出，化学气相沉积碳化硅部件凭借卓越的高纯度、高致密度和优异的等离子体抗性，已成为集成电路外延与干法刻蚀工艺中不可或缺的关键耗材。报告系统梳理了CVD SiC部件的应用现状和核心技术优势，重点介绍了在材料纯度和微观结构控制方面取得的工业级突破，包括低颗粒污染、长服役寿命和稳定的刻蚀环境兼容性等性能提升。余副总强调，随着芯片制程不断微缩，对工艺环境纯净度的要求日益严苛，CVD SiC部件的关键性将进一步凸显。未来将通过大尺寸化、复杂形状近净成形和成本优化，持续推动该材料在先进制程中规模化应用，为半导体关键耗材自主保障提供坚实支撑。

演讲主题：大尺寸+高精度：新东先进陶瓷"浇注+3D打印"双工艺如何打通半导体产业化?

聂经理在报告中为大家介绍了半导体陶瓷部件在大尺寸、高精度与功能集成三个维度面临的前沿挑战与应对路径。报告分享了半导体市场应用概况，重点阐述了新东先进陶瓷以浇注成型大尺寸件与3D打印精密件构成的双工艺协同解决方案，全面覆盖氧化物与非氧化物陶瓷体系，灵活响应半导体高端制造对复杂结构陶瓷部件的多元化需求。聂经理结合公司技术实力和真实半导体应用案例，展示了从工艺开发到产品落地的完整能力链，并诚挚邀请产业链同仁协同创新，共同推动先进陶瓷向更高质量发展迈进。

演讲主题：赋能高端陶瓷制造：海德利森热等静压技术的新进展与应用前景

刘总监在报告中主要分享了海德利森以高压流体核心技术赋能高端陶瓷制造的最新进展。作为国家级专精特新“小巨人”企业，海德利森深耕高压流体技术25年，凭借自主可控的超高压压缩机、高压容器与智能控制系统，跻身热等静压装备行业第一梯队。报告重点介绍了自主研发的“双两千”热等静压设备，最高工作温度2000℃、压力200MPa，可对氮化硅、碳化硅、氧化锆等高端陶瓷进行高效致密化处理，显著降低孔隙率、提升强度与韧性，实现复杂结构一体化成型。刘总监表示，从设备研发到工艺优化，从小批量试制到规模化生产，海德利森致力于为先进陶瓷企业提供高效、稳定、低成本的等静压解决方案，助力国产高端陶瓷突破性能瓶颈、加速产业升级。

演讲主题：陶瓷晶圆承载盘在集成电路关键装备中的应用以及发展方向

宋博士在报告中表达了半导体行业作为战略性、基础性和先导性产业，其芯片制程全链条对高质量、高精度、高稳定吸附承载的刚性需求。他指出，高性能陶瓷晶圆承载盘凭借高硬度、热变形小、吸附均匀及金属离子污染少等优势，是实现高端精密制造的关键要素，但长期被国外寡头垄断，使国内泛半导体产业链面临严峻围堵。宋博士系统介绍了国机金刚石（河南）有限公司在陶瓷吸盘、载盘及静电卡盘等领域的基础研究与产品开发进展，展示了从材料设计到性能验证的阶段性成果。他强调，突破承载盘技术壁垒对保障供应链安全至关重要，未来将加速推进高性能陶瓷承载盘的自主化与产业化应用，夯实半导体核心部件国产化根基。

演讲主题：半导体陶瓷类部件的关键洁净度评估

王博士在报告中指出，半导体设备陶瓷部件在长期使用后，表面易附着研磨颗粒、抛光液及蚀刻残留等污染物，若不及时清洗，将导致颗粒超标、产品良率下降，甚至造成部件损伤并缩短使用寿命。因此，新品与再生品的洁净度稳定性需得到合理评估。报告重点介绍了半导体设备清洗工艺及湿法清洗在陶瓷部件中的应用，涵盖过程检测与微污染检测等关键环节。王博士还分享了富乐德智能科技的发展历程与主营业务，结合公司在陶瓷部件清洗检测方面的技术积累，展示了从污染物分析到工艺验证的系统化解决方案，为延长陶瓷部件服役周期、保障半导体制造洁净环境提供了有力支撑。

演讲主题：半导体装备用陶瓷静电卡盘关键技术与应用

杨总在报告中主要表达了静电卡盘作为集成电路制造装备最核心的零部件之一，广泛应用于刻蚀、物理气相沉积、离子注入、化学气相沉积等关键工艺，是保障芯片质量的重要基础和高端装备国产化的核心环节。报告围绕“一代设备、一代工艺、一代产品”的行业规律，深入探讨了随着国内集成电路产业快速发展，下一代工艺制程对静电卡盘在设计与制造方面提出的新需求。杨总重点剖析了高精度温控、高电压隔离、长时间服役可靠性等技术难题，并分享了在设计优化、材料改性和精密制造等方面的解决思路，旨在凝聚行业共识，加速推动静电卡盘从技术突破迈向规模化产业应用。

演讲主题：高纯糖碳的获取及其在陶瓷粉体合成中的应用

陈教授在报告中指出，通过糖水凝胶化法可便捷获取高纯糖碳：以丙烯酰胺与葡萄糖等糖类形成水凝胶，经250℃空气中预碳化、再于1200℃氩气保护下高温碳化，所得碳材料灼烧残渣几乎为零，实现了超高纯碳的绿色制备。他进一步介绍，以高度提纯的葡萄糖为碳源，与高纯硅粉形成葡萄糖-硅水凝胶，经预碳化后，在1400-1500℃真空炉中烧结或自蔓延燃烧合成，即可获得超高纯度3C-SiC。他强调，葡萄糖及辅助原料的多步提纯、水凝胶均匀性控制及真空度等工艺要点，决定了产物纯度高、结晶完整、颗粒细小等优异特性，为高性能陶瓷粉体合成开辟了新路径。

PART 06

答谢晚宴

PART 08

企业展台