行业资讯 - 新闻中心 - 中国国际先进陶瓷展览会-新之联伊丽斯展览

针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求，阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。

在全球半导体产能持续扩张、制程工艺不断向极限逼近的背景下，半导体制造设备对核心零部件的性能要求也随之达到前所未有的高度。在晶圆加工过程中，设备腔体内部往往面临着高能等离子体轰击、腐蚀性气体侵蚀、极端温度变化和洁净度管控等多重苛刻条件的叠加。

陶瓷真空吸盘是由多孔陶瓷材料制作，孔径分布均匀，内部相互贯通，表面经研磨后，光滑细腻，平整性好，广泛应用于硅、蓝宝石、砷化镓等半导体晶圆的制造环节。

在半导体制造的前道工序（FEOL）中，要对晶圆进行各种工艺处理，特别是要将晶圆加热到一定温度，并且有着严格的要求，因为温度的均匀性对产品良率有着非常重要的影响；同时半导体设备还要在真空、等离子体和化学气体存在的环境下工作，这就要用到陶瓷加热器（Ceramic Heater）。